RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
70
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2519
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link