RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2128
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Inmos + 256MB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link