RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
21300
Rund um 1.1 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
23400
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
2794
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link