RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 35

Rund um 23% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.8 11.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.4 11.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 19200

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2062 2852

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns