RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2107
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link