RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
32
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link