RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2384
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link