RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link