RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
66
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
1953
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Mushkin 994083 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link