RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link