Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Gesamtnote
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 29
    Rund um -7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.4 left arrow 13.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.5 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 12800
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 17.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 14.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2423 left arrow 3692
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche