RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 73

Rund um 60% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.0 7.9

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.1 13.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 12800

Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2423 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns