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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
34
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2046
2739
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