RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
31
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2477
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link