RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
40
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link