RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs AMD R748G2133U2S 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
AMD R748G2133U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R748G2133U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2852
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link