RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
71
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1773
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lenovo 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link