RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link