RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link