RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link