RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link