RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link