RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2793
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link