RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
39
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2880
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link