RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
37
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3088
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link