RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
35
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3314
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT8G3D21BCT1.16FN 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link