RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3090
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link