RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
51
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3090
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link