RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3741
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link