RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3525
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link