RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link