RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link