RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
35
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lenovo 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link