RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
26
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3628
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link