RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
24
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2904
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link