RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
33
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2588
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link