Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 9.9
    Durchschnittswert bei den Tests
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    22 left arrow 24
    Rund um -9% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.5 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 22
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.0 left arrow 16.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 9.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2925 left arrow 2682
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RAM 1
RAM 2

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