RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
24
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3380
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link