RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3207
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
UMAX Technology 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link