RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3580
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link