RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link