RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
20.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
20.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
4029
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link