RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
32
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2952
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link