RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2393
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link