RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2591
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link