RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3070
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link