RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2037
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link