RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
36
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
1789
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link