RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2828
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link