RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
45
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.2
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2281
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link