RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.1
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link